Número de Producto del Fabricante:
IPC218N04N3X7SA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPC218N04N3X7SA1-DG
Descripción:
MV POWER MOS
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V Surface Mount Die
Inventario:
12803417
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPC218N04N3X7SA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Bulk
Serie
OptiMOS™ 3
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 200µA
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Número de producto base
IPC218
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
SP001155550
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPC30S2SN08NX2MA1
MV POWER MOS
IPB60R299CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
IPP03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3