Número de Producto del Fabricante:
IPC218N06N3X7SA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPC218N06N3X7SA1-DG
Descripción:
MV POWER MOS
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V Surface Mount Die
Inventario:
13063935
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPC218N06N3X7SA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Bulk
Serie
OptiMOS™ 3
Embalaje
Bulk
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 196µA
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Número de producto base
IPC218
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
IPC218N06N3X7SA1-ND
448-IPC218N06N3X7SA1
SP001155554
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPA105N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
BSO203SPNTMA1
MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO
IPA50R280CE
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
