Número de Producto del Fabricante:
IPD025N06NATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD025N06NATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
10441 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800940
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ENVIAR
IPD025N06NATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 95µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5200 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD025N06N
IPD025N06NATMA1TR
IPD025N06NCT-DG
IPD025N06NDKR-DG
IPD025N06NATMA1CT
IPD025N06NATMA1DKR
IPD025N06NCT
IPD025N06NDKR
IPD025N06NTR
IPD025N06NTR-DG
SP000988276
IPD025N06N-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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