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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IPD046N08N5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD046N08N5ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
2400 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801290
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ENVIAR
IPD046N08N5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 65µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD046
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPD046N08N5ATMA1
Hoja de datos HTML
IPD046N08N5ATMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
448-IPD046N08N5ATMA1CT
IPD046N08N5ATMA1-DG
SP001475652
448-IPD046N08N5ATMA1DKR
448-IPD046N08N5ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDD86367
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
40875
NÚMERO DE PIEZA
FDD86367-DG
PRECIO UNITARIO
0.86
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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