Número de Producto del Fabricante:
IPD053N06N3GBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD053N06N3GBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12848574
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ENVIAR
IPD053N06N3GBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 58µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6600 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD053N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD053N06N3GBTMA1CT
IPD053N06N3 GCT-DG
IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 G-DG
IPD053N06N3G
IPD053N06N3GBTMA1DKR
IPD053N06N3 GTR-DG
IPD053N06N3GBTMA1TR
IPD053N06N3 G
SP000453318
IPD053N06N3 GDKR-DG
IPD053N06N3 GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDD86540
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5000
NÚMERO DE PIEZA
FDD86540-DG
PRECIO UNITARIO
0.95
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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