Número de Producto del Fabricante:
IPD053N08N3GBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD053N08N3GBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12801165
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPD053N08N3GBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 90µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD053N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD053N08N3 GTR-DG
IPD053N08N3 G-DG
IPD053N08N3G
IPD053N08N3GBTMA1DKR
SP000395183
IPD053N08N3 GCT-DG
IPD053N08N3 G
IPD053N08N3GBTMA1CT
IPD053N08N3 GDKR
IPD053N08N3GBTMA1TR
IPD053N08N3 GCT
IPD053N08N3 GDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD053N08N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
15378
NÚMERO DE PIEZA
IPD053N08N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
FDD86367-F085
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
943
NÚMERO DE PIEZA
FDD86367-F085-DG
PRECIO UNITARIO
0.78
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
