Número de Producto del Fabricante:
IPD100N04S402ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD100N04S402ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
4318 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800231
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ENVIAR
IPD100N04S402ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 95µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9430 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD100N04S402ATMA1CT
INFINFIPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S4-02-DG
SP000646184
2156-IPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S402ATMA1DKR
IPD100N04S4-02
IPD100N04S402ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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