Número de Producto del Fabricante:
IPD100N04S4L02ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD100N04S4L02ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
2219 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800904
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ENVIAR
IPD100N04S4L02ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 95µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2156-IPD100N04S4L02ATMA1
448-IPD100N04S4L02ATMA1DKR
IPD100N04S4L02ATMA1-DG
448-IPD100N04S4L02ATMA1TR
448-IPD100N04S4L02ATMA1CT
SP001238380
INFINFIPD100N04S4L02ATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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