IPD122N10N3GBTMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPD122N10N3GBTMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPD122N10N3GBTMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventario:

12800958
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPD122N10N3GBTMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
59A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.2mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 46µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD122N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP000485966
IPD122N10N3GBTMA1DKR
IPD122N10N3GBTMA1CT
2156-IPD122N10N3GBTMA1-ITTR-DG
IPD122N10N3 GTR-DG
IPD122N10N3 GDKR
INFINFIPD122N10N3GBTMA1
IPD122N10N3 GCT-DG
IPD122N10N3GXT
2156-IPD122N10N3GBTMA1
IPD122N10N3GBTMA1TR
IPD122N10N3 G
IPD122N10N3G
IPD122N10N3 G-DG
IPD122N10N3 GDKR-DG
IPD122N10N3 GCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRLR3110ZTRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
20611
NÚMERO DE PIEZA
IRLR3110ZTRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SUD40N08-16-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
7830
NÚMERO DE PIEZA
SUD40N08-16-E3-DG
PRECIO UNITARIO
1.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD80N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2500
NÚMERO DE PIEZA
STD80N10F7-DG
PRECIO UNITARIO
0.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD70N10F4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STD70N10F4-DG
PRECIO UNITARIO
0.87
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPD122N10N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
29796
NÚMERO DE PIEZA
IPD122N10N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IMW120R220M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

infineon-technologies

IPB200N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK

infineon-technologies

IPB65R110CFDATMA2

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3

infineon-technologies

IPD050N03LGBTMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31