Número de Producto del Fabricante:
IPD14N06S280ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD14N06S280ATMA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
4159 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800488
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ENVIAR
IPD14N06S280ATMA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 14µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
293 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD14N06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
INFINFIPD14N06S280ATMA2
2156-IPD14N06S280ATMA2
448-IPD14N06S280ATMA2DKR
448-IPD14N06S280ATMA2TR
SP001063642
IPD14N06S280ATMA2-DG
448-IPD14N06S280ATMA2CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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