Número de Producto del Fabricante:
IPD19DP10NMATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD19DP10NMATMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V PG-TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 2.6A (Ta), 13.7A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
1907 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968216
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ENVIAR
IPD19DP10NMATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
186mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.04mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD19D
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP005343854
448-IPD19DP10NMATMA1TR
448-IPD19DP10NMATMA1DKR
448-IPD19DP10NMATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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