Número de Producto del Fabricante:
IPD35N12S3L24ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD35N12S3L24ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
9685 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800948
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPD35N12S3L24ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 39µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD35N12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD35N12S3L24ATMA1CT
2156-IPD35N12S3L24ATMA1
IPD35N12S3L24ATMA1DKR
SP001398656
IPD35N12S3L24ATMA1TR
INFINFIPD35N12S3L24ATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPL60R095CFD7AUMA1
MOSFET N CH
IPB05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7