Número de Producto del Fabricante:
IPD60R1K5CEAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
25223 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800892
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ENVIAR
IPD60R1K5CEAUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 90µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP001396902
IPD60R1K5CEAUMA1DKR
IPD60R1K5CEAUMA1TR
IPD60R1K5CEAUMA1CT
2156-IPD60R1K5CEAUMA1
ROCINFIPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R1K5CEAUMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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