IPD60R600P7SE8228AUMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPD60R600P7SE8228AUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventario:

2486 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851276
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IPD60R600P7SE8228AUMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
363 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP002367810
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1DKR
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1CT
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IPD60R600P7SAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9704
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R600P7SAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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