Número de Producto del Fabricante:
IPD60R650CEBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60R650CEBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12801316
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ENVIAR
IPD60R650CEBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
82W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP001369530
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCD7N60TM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5978
NÚMERO DE PIEZA
FCD7N60TM-DG
PRECIO UNITARIO
0.91
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD10N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STD10N60DM2-DG
PRECIO UNITARIO
0.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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