Número de Producto del Fabricante:
IPD65R660CFDAATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD65R660CFDAATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
4662 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800162
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ENVIAR
IPD65R660CFDAATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
660mOhm @ 3.22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 214.55µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
543 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD65R660
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP000928260
INFINFIPD65R660CFDAATMA1
IPD65R660CFDAATMA1-DG
2156-IPD65R660CFDAATMA1
448-IPD65R660CFDAATMA1DKR
448-IPD65R660CFDAATMA1TR
448-IPD65R660CFDAATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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