Número de Producto del Fabricante:
IPD80R1K0CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD80R1K0CEATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
2125 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801465
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ENVIAR
IPD80R1K0CEATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
785 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD80R1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD80R1K0CEATMA1-DG
IPD80R1K0CEATMA1CT
SP001130974
IPD80R1K0CEATMA1DKR
IPD80R1K0CEATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK5P60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
9180
NÚMERO DE PIEZA
TK5P60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB900CP ROG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
2480
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB900CP ROG-DG
PRECIO UNITARIO
0.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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