Número de Producto del Fabricante:
IPDQ60R022S7AXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPDQ60R022S7AXTMA1-DG
Descripción:
MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventario:
750 Pcs Nuevos Originales En Stock
13371948
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ENVIAR
IPDQ60R022S7AXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1.44mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5640 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
416W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HDSOP-22-1
Paquete / Caja
22-PowerBSOP Module
Número de producto base
IPDQ60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
750
Otros nombres
448-IPDQ60R022S7AXTMA1CT
SP002373870
448-IPDQ60R022S7AXTMA1TR
448-IPDQ60R022S7AXTMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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