Número de Producto del Fabricante:
IPI100N04S4H2AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI100N04S4H2AKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12805141
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ENVIAR
IPI100N04S4H2AKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 70µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI100N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI100N04S4-H2-DG
IPI100N04S4-H2
SP000711282
2156-IPI100N04S4H2AKSA1-IT
INFINFIPI100N04S4H2AKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPI90N04S402AKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
453
NÚMERO DE PIEZA
IPI90N04S402AKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STI270N4F3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
888
NÚMERO DE PIEZA
STI270N4F3-DG
PRECIO UNITARIO
2.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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