Número de Producto del Fabricante:
IPI60R299CPXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI60R299CPXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12805882
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ENVIAR
IPI60R299CPXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 440µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-DG
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STI24N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1180
NÚMERO DE PIEZA
STI24N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
1.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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