Número de Producto del Fabricante:
IPI90R340C3XKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI90R340C3XKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventario:
500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801142
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPI90R340C3XKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
340mOhm @ 9.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3-1
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI90R340
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI90R340C3XKSA2-DG
SP002548884
448-IPI90R340C3XKSA2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
IPD50R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
IPI80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
