Número de Producto del Fabricante:
IPI90R800C3
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI90R800C3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12818939
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPI90R800C3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 460µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI90R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2156-IPI90R800C3-IT
SP000413730
IFEINFIPI90R800C3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFX30N110P
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3
IXFH90N20X3
MOSFET N-CH 200V 90A TO247
IXTT40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO268
