Número de Producto del Fabricante:
IPL60R210P6AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL60R210P6AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 19.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803754
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPL60R210P6AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
210mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 630µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1750 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL60R210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-IPL60R210P6AUMA1
SP001017096
IPL60R210P6AUMA1CT
IPL60R210P6AUMA1TR
IPL60R210P6AUMA1DKR
INFINFIPL60R210P6AUMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2A (4 Weeks)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
IPD25N06S240ATMA1
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
