Número de Producto del Fabricante:
IPL65R310E6AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL65R310E6AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 13.1A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
12801925
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPL65R310E6AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ E6
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
ROCINFIPL65R310E6AUMA1
2156-IPL65R310E6AUMA1-ITTR
SP000895216
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2A (4 Weeks)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPL65R070C7AUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3784
NÚMERO DE PIEZA
IPL65R070C7AUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
3.94
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
BTS244Z E3062A
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-62
BSS169 E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
