Número de Producto del Fabricante:
IPN60R600P7SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPN60R600P7SATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventario:
12803772
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPN60R600P7SATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
363 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
IPN60R600
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IPN60R600P7SATMA1CT
SP001681930
IPN60R600P7SATMA1TR
IPN60R600P7SATMA1DKR
IPN60R600P7SATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF9530NL
MOSFET P-CH 100V 14A TO262
IRF7476TRPBF
MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
IRF3707ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
