IPN70R750P7SATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPN70R750P7SATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPN70R750P7SATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 6.7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223

Inventario:

14239 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801229
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IPN70R750P7SATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 70µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
306 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
IPN70R750

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IPN70R750P7SATMA1-DG
SP001664912
IPN70R750P7SATMA1DKR
2156-IPN70R750P7SATMA1TR
IPN70R750P7SATMA1CT
IPN70R750P7SATMA1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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