IPN95R1K2P7ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPN95R1K2P7ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPN95R1K2P7ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223

Inventario:

3189 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804050
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IPN95R1K2P7ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
950 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 140µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
478 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
IPN95R1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP001792336
IPN95R1K2P7ATMA1TR
IPN95R1K2P7ATMA1CT
IPN95R1K2P7ATMA1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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