Número de Producto del Fabricante:
IPP023NE7N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
460 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806021
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ENVIAR
IPP023NE7N3GXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 273µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP023
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G E8177-DG
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3GCTINACTIVE
2156-IPP023NE7N3GXKSA1-448
IPP023NE7N3 GTR-DG
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
IPP023NE7N3GDKRINACTIVE
IPP023NE7N3 G-DG
IPP023NE7N3 GCT
IPP023NE7N3 GDKR-DG
IPP023NE7N3 GCT-DG
IPP023NE7N3 GDKR
IPP023NE7N3 GDKRINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 GCTINACTIVE-DG
IPP023NE7N3 G E8177
SP000641722
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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