Número de Producto del Fabricante:
IPP100N06S205AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP100N06S205AKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12805037
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ENVIAR
IPP100N06S205AKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5110 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP100N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
INFINFIPP100N06S205AKSA2
SP001067938
2156-IPP100N06S205AKSA2-IT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN3R9-60PSQ
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
5021
NÚMERO DE PIEZA
PSMN3R9-60PSQ-DG
PRECIO UNITARIO
1.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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