Número de Producto del Fabricante:
IPP100N10S305AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP100N10S305AKSA2-DG
Descripción:
MOSFET_(75V 120V(
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
13269171
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ENVIAR
IPP100N10S305AKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 240µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11570 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP005549658
448-IPP100N10S305AKSA2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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