Número de Producto del Fabricante:
IPP114N03LGHKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP114N03LGHKSA1-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12496 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954963
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ENVIAR
IPP114N03LGHKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Bulk
Serie
OptiMOS™ 3
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
944
Otros nombres
IFEINFIPP114N03LGHKSA1
2156-IPP114N03LGHKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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