Número de Producto del Fabricante:
IPP70N10S3L12AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP70N10S3L12AKSA2-DG
Descripción:
MOSFET_(75V 120V(
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
13269290
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP70N10S3L12AKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 83µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5570 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
448-IPP70N10S3L12AKSA2
SP005549667
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
Productos relacionados
IMZA65R050M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R040M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP020N08N5XKSA1
TRENCH 40<-<100V