IPP80N06S209AKSA2
Número de Producto del Fabricante:

IPP80N06S209AKSA2

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPP80N06S209AKSA2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Inventario:

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12806231
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IPP80N06S209AKSA2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 125µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP80N06

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
IPx80N06S2-09

Información Adicional

Paquete Estándar
500
Otros nombres
IFEINFIPP80N06S209AKSA2
2156-IPP80N06S209AKSA2
SP001061400

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
AOT2610L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
AOT2610L-DG
PRECIO UNITARIO
0.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STP75NF75
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1998
NÚMERO DE PIEZA
STP75NF75-DG
PRECIO UNITARIO
1.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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