Número de Producto del Fabricante:
IPP80N06S2L06AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP80N06S2L06AKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12804683
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ENVIAR
IPP80N06S2L06AKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 180µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2156-IPP80N06S2L06AKSA2-IT
SP001067882
INFINFIPP80N06S2L06AKSA2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SUP90N06-6M0P-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
581
NÚMERO DE PIEZA
SUP90N06-6M0P-E3-DG
PRECIO UNITARIO
1.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STP80NF55-06
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
999
NÚMERO DE PIEZA
STP80NF55-06-DG
PRECIO UNITARIO
1.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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