Número de Producto del Fabricante:
IPP80N06S3L-06
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP80N06S3L-06-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12803240
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP80N06S3L-06 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9417 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP000088006
IPP80N06S3L06XK
IPP80N06S3L06X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMTH6005LCT
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMTH6005LCT-DG
PRECIO UNITARIO
0.95
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD60R600P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IRF7450TR
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
