Número de Producto del Fabricante:
IPP80P03P4L04AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP80P03P4L04AKSA2-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
829 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948679
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ENVIAR
IPP80P03P4L04AKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS®-P2
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 253µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
137W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP80P03
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP002325792
448-IPP80P03P4L04AKSA2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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