Número de Producto del Fabricante:
IPP80R1K4P7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP80R1K4P7XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
507 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803401
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ENVIAR
IPP80R1K4P7XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 70µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP80R1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001422718
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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