Número de Producto del Fabricante:
IPQC60R010S7AXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPQC60R010S7AXTMA1-DG
Descripción:
MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22
Inventario:
13004463
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ENVIAR
IPQC60R010S7AXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 3.08mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
318 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
694W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HDSOP-22
Paquete / Caja
22-PowerBSOP Module
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
750
Otros nombres
448-IPQC60R010S7AXTMA1TR
SP005567905
448-IPQC60R010S7AXTMA1DKR
448-IPQC60R010S7AXTMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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