Número de Producto del Fabricante:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPSA70R2K0P7SAKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 3A (Tc) 17.6W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347
Inventario:
79 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806157
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ENVIAR
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 30µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.8 nC @ 400 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
130 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
17.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3-347
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
IPSA70
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
IPSA70R2K0P7SAKMA1-DG
448-IPSA70R2K0P7SAKMA1
SP001664770
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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