Número de Producto del Fabricante:
IPT029N08N5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPT029N08N5ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventario:
12803084
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ENVIAR
IPT029N08N5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
52A (Ta), 169A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 108µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6500 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
168W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IPT029
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SP001581494
IPT029N08N5ATMA1DKR
INFINFIPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1CT
IPT029N08N5ATMA1-DG
IPT029N08N5ATMA1TR
2156-IPT029N08N5ATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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