Número de Producto del Fabricante:
IPT65R195G7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPT65R195G7XTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Inventario:
12806479
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ENVIAR
IPT65R195G7XTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
CoolMOS™ C7
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
195mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 240µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
996 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
97W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IPT65R195
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IPT65R195G7XTMA1CT
IPT65R195G7XTMA1TR
IPT65R195G7XTMA1DKR
INFINFIPT65R195G7XTMA1
2156-IPT65R195G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1-DG
SP001456206
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPT65R190CFD7XTMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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