Número de Producto del Fabricante:
IPU60R2K0C6BKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU60R2K0C6BKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 22.3W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12802710
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPU60R2K0C6BKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
22.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-IPU60R2K0C6BKMA1-IT
INFINFIPU60R2K0C6BKMA1
SP000931528
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD4NK60Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
35
NÚMERO DE PIEZA
STD4NK60Z-1-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF3515STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
