Número de Producto del Fabricante:
IPU60R3K4CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU60R3K4CEAKMA1-DG
Descripción:
CONSUMER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.6A (Tj) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12805054
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPU60R3K4CEAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 40µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
93 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
2156-IPU60R3K4CEAKMA1-IT
INFINFIPU60R3K4CEAKMA1
SP001579180
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD4NK80Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
4630
NÚMERO DE PIEZA
STD4NK80Z-1-DG
PRECIO UNITARIO
0.78
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF8304MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
IRF7704
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
IPP80N06S2L11AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
