Número de Producto del Fabricante:
IPW65R095C7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPW65R095C7XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventario:
2486 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816657
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ENVIAR
IPW65R095C7XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 590µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-1
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW65R095
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
448-IPW65R095C7XKSA1
SP001080128
IPW65R095C7XKSA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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