Número de Producto del Fabricante:
IPW65R660CFDFKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPW65R660CFDFKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventario:
12806124
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ENVIAR
IPW65R660CFDFKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
615 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-1
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
240
Otros nombres
2156-IPW65R660CFDFKSA1-IT
INFINFIPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFD
SP000861700
IPW65R660CFD-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFPF50PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
466
NÚMERO DE PIEZA
IRFPF50PBF-DG
PRECIO UNITARIO
3.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STW10N95K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
466
NÚMERO DE PIEZA
STW10N95K5-DG
PRECIO UNITARIO
1.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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