Número de Producto del Fabricante:
IQD016N08NM5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQD016N08NM5ATMA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-U04
Inventario:
13240513
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ENVIAR
IQD016N08NM5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta), 323A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.57mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 159µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9200 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-U04
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQD016N08NM5ATMA1DKR
448-IQD016N08NM5ATMA1TR
SP005903807
448-IQD016N08NM5ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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