IQD063N15NM5CGATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IQD063N15NM5CGATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IQD063N15NM5CGATMA1-DG

Descripción:

TRENCH >=100V
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 14.1A (Ta), 148A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02

Inventario:

12994049
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IQD063N15NM5CGATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.1A (Ta), 148A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.32mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.6V @ 159µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4700 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TTFN-9-U02
Paquete / Caja
9-PowerTDFN
Número de producto base
IQD063

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005588872
448-IQD063N15NM5CGATMA1TR
448-IQD063N15NM5CGATMA1CT
448-IQD063N15NM5CGATMA1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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