Número de Producto del Fabricante:
IQE008N03LM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQE008N03LM5CGATMA1-DG
Descripción:
TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
Inventario:
202 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968889
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ENVIAR
IQE008N03LM5CGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Ta), 253A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.85mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5700 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TTFN-9-1
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IQE008N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQE008N03LM5CGATMA1TR
448-IQE008N03LM5CGATMA1CT
448-IQE008N03LM5CGATMA1DKR
SP005401196
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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