Número de Producto del Fabricante:
IQE220N15NM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQE220N15NM5CGATMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-3
Inventario:
13002582
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ENVIAR
IQE220N15NM5CGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.6V @ 46µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TTFN-9-3
Paquete / Caja
9-PowerTDFN
Número de producto base
IQE220N15
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005399463
448-IQE220N15NM5CGATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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