Número de Producto del Fabricante:
IRF1405ZSTRL7PP
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF1405ZSTRL7PP-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12805552
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF1405ZSTRL7PP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRF1405ZSTRL7PPDKR
IRF1405ZSTRL7PPTR
SP001571192
IRF1405ZSTRL7PPCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD40N03S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
IRFZ44NLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO262
IPD60R600C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3